RF GAN(无线电-频率Gallium Nitride)市场 2022 QQ 大小QQ 预测到2030年 (有更新版本)

关键市场 概览:

RF GAN(Radio-Frequentency Gallium Nitride)市场在2022年的估值为10.9371亿美元,在预测期(2023-2030年)的显著CAGR预测为18.6%。 到2030年,市场将达到42.0378亿美元。

RF GAN或射频Gallium Nitride是一类半导体技术,用于生产包括放大器,晶体管在内的高频电子设备,以及用于射频(RF)应用的动力设备. RF GAN设备被广泛用于无线通信系统,雷达系统,卫星通信,以及其他高频应用. 设备处理尺寸较小的高功率的能力被认为是推动RF GAN市场增长的关键因素之一.

RF GaN市场受到以下因素的驱动:越来越需要更快的数据率,能力得到提高,无线通信网络的连通性得到加强. 此外,增加公司在引进先进的RF GAN装置方面的合作是积极影响市场增长的另一个关键因素。 例如,2021年5月,Raytheon Technologies与Global Foundies(GF)合作开发了配备了增强RF性能的GaN-on-Si半导体. 此外,包括互联网、自主车辆和智能城市等技术进步在内的因素,预计将在预测期间促进法国天然气公司市场的增长。

RF GAN(无线电-频率Gallium Nitride)报告覆盖率

报告属性	报告细节
学习时间表	2017-2030 (英语).
2030年市场规模(百万美元)	42.0378亿
CAGR (2023-2030) (英语).	18.6% 妇女
基准年	2022 (英语).
按类型	GaN-on-Si, GaN-on-SiC, 等 (简体中文).
按产品类型	RF晶体管、RF放大器及其他
通过应用程序	军事、电信、卫星通信、宽带、数据中心、汽车、海洋等
按地域划分	亚太 [中国、东南亚、印度、日本、韩国、西亚] 欧洲 [德国、联合王国、法国、意大利、俄罗斯、西班牙、荷兰、土耳其] 北美 [美国、加拿大、墨西哥] 中东和非洲 [GCC、北非、南非] 南美洲 [巴西、阿根廷、哥伦比亚、智利、秘鲁]
关键玩家	Qorvo, Inc, Analog Devices, Inc. Aethercomm, WOLFSPEED, INC., Integra Technologies Inc. MACOM, 三菱电气公司, STMicro电子公司, 雷神科技公司, MaxLinear, Microsemi, NXP 半导体, Sumitomo电气工业有限公司, 水星系统公司.

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市场动态 :

驱动程序 :

日益增长的电信部门正在推动市场增长

RF GaN技术可以提高功率输出和提高效率,使电信公司能够满足对数据传输和网络容量不断增长的需求. 此外,采用5G技术的激增被认为是刺激对RF GaN设备需求的关键因素之一,因为这些设备对于在5G网络中实现预期覆盖范围、数据率和光谱效率至关重要。 此外,对更快数据率的需求增加、网络能力增强、小细胞部署等因素也在推动RF GaN市场的增长。

此外,包括5G基础设施的渗透率上升以及智能手机和通信设备的采用率上升等因素是促进电信部门增长的关键方面。 例如,据Viavi Solutions Inc.称,2021年在世界65个国家部署了5G服务,与2020年相比大幅增加了20%以上。 因此,由于上述因素,不断增长的电信部门正在推动全球RF GAN市场的增长。

限制 :

Gallium Arsenide(GaAs)和硅LDMOS等替代品的存在制约了市场增长。

硅LDMOS技术被广泛用于低频范围内的RF动力应用,包括广播发射机,蜂窝基站等. 硅LDMOS技术比RF GAN技术提供了若干好处,包括良好的电力处理能力、成本效益和成熟的制造业生态系统。 此外,与RF GaN技术相比,GaAs(GaAs)的Gallium Arsenide技术提供了较高的电子流动性,从而实现了高速运行和更好的线性. 因此,由于上述因素,替代物的存在正在限制着俄罗斯联邦加恩市场的增长。

RF GAN(无线电-频率Gallium Nitride) 市场分割:



按类型

产品类型段分为GaN-on-Si,GaN-on-SiC等.
在2022年的RF GAN(Radio-Frequentency Gallium Nitride)市场中,GAN-on-SiC部分在收入中占有最大的市场份额. Gan-on-SiC技术装置配备了处理更高电位和显示更高功率密度的能力,使其适合包括放大器在内的高功率RF装置. 例如,2021年6月,微芯片技术公司推出了GMICP2731-10 GAN MMIC,这是用于卫星通信应用的RF GAN放大器。 放大器使用GaN-on-Sic技术制造,并交付最高10W功率. 此外,包括宽频带宽、稳健性和高度可靠性等因素正在推动采用GaN-on-Sic技术。

此外,预计在预测期间GaN-on-Si段将稳步增长。 在GaN-on-Si技术中,GaN材料沉积在硅基质上. Gan-on-Si被认为是最具成本效益的技术,这是预计在未来一段时期对采用这一技术产生积极影响的关键因素之一.

按产品类型

产品类型段分为RF晶体管,RF放大器等.

晶体管部分在2022年RF GAN(Radio-Frequentency Gallium Nitride)市场的收入中占有最大的市场份额. 使用RF-Gan技术制造的晶体管的特点是功率密度高,频率范围广,线性强. 对高功率和高频电子系统的需求日益增加被认为是驱动RF Gan晶体管需求的关键因素.

此外,预计在预测期间放大器部分将稳步增长。 RF GaN放大器被广泛用于包括无线通信,雷达系统,电子战,卫星通信等在内的几种应用. 此外,航空航天和国防工业在全世界的扩展预计将在下一个时期刺激对基于RF GAN的放大器的需求。 例如,2021年12月,CAES推出了一个高功率GaN型RF放大器,为空降系统、无人机和其他军事装备提供电子攻击能力。 此外,对高效电力消费系统的需求激增等因素预计将在预测期间对市场增长产生积极影响。

通过应用程序 :

应用部分分为军事、电信、卫星通信、有线宽带、数据中心、汽车、海洋等。

卫星通信部分在RF GAN(无线电-频率Gallium Nitride)市场中占很大份额。 包括放大器和晶体管在内的基于RF GAN的装置在电信业中提供了高效,更高的数据率和更好的信号质量. 因此,几家公司正在为电信部门引进基于RF GAN的装置,这是推动市场增长的关键因素之一。 例如,2022年5月,STMicroelectorys和MACOM完成了RF Gan-on-Si原型机的生产. 该原型的制作旨在为5G和6G基础设施提供潜力。

此外,RF Gan基装置正在广泛用于海洋雷达系统,用于导航、避免碰撞和目标探测。 此外,RF GAN技术在提高功率输出和高效运行方面发挥着至关重要的作用,以确保海洋船只与卫星网络之间的牢固通信联系。 对海洋部门投资的增加和新的造船项目是推动海洋部门增长的关键因素。 例如,2018年,南非国防部投资2.257亿美元开发三艘舰只. 因此,由于上述情况,海洋部门越来越多地应用RF GAN技术,预计将在预测期间对市场增长产生积极影响。

按地区分列:

区域部分包括北美、欧洲、亚太、中东和非洲以及拉丁美洲。 北美地区被认为是2022年收入份额最大的地区. 增加在军事部门采用RF GAN技术的投资被认为是推动该区域市场增长的关键因素之一。 例如,2021年12月,Transphorm, Inc.从美国国防高级研究项目局(DARPA)收到了一份价值90万美元的合同,用于制造用于商业和DoD无线电频率应用的GAN解决方案.



此外,预计亚太区域在预测期间将出现大幅增长。 亚太区域城市化、工业化和发展的快速发展为本区域的市场增长创造了有利可图的机会。 此外,由于5G网络的部署越来越多,亚太区域的电信能力正在扩大,预计在预测期间,该区域将采用RF GAN技术。

RF GAN(无线电-频率Gallium Nitride)市场竞争性景观:

报告分析了市场的竞争情况,并详细介绍了该行业主要参与者的情况。 此外,研发(研发)、产品创新、各种商业战略以及应用推出的激增,加快了全球RF GaN(Radio-Frequentency Gallium Nitride)市场的增长。 市场上的主要角色包括:

Qorvo股份有限公司
• 模拟设备公司
\\ 爱瑟comm
(原始内容存档于2018-09-21). OLFSPEED, INC.
QQ Integra技术公司.
MACOM公司
三菱电气公司
• STM 电子学
雷席恩技术公司
麦克斯林纳
^ 微西米语
NXP 半导体
Sumitomo电气工业有限公司
水星系统公司

最近的事态发展

QQ 2021年6月,MaxLinear股份有限公司和Wolfspide公司推出了RF Gan-on-SiC功率放大器. 放大器通过提高数据传输速度和支持更多的用户来提高5G基站的无线容量.

• 2021年12月,CAES推出了高功率GaN型RF放大器,用于为空降系统,无人机等军事装备提供电子攻击能力.