RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) Marknad 2022 | Storlek | Prognos 2030 (Uppdaterad version tillgänglig)

Key Market Översikt:

RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) Market uppvisade en värdering på 1,093,71 miljoner USD 2022, med en anmärkningsvärd CAGR på 18,6% projicerad under prognosperioden (2023-2030). Marknaden är redo att nå ett betydande värde av USD 4,203,78 miljoner till 2030.

RF GaN eller Radio Frequency Gallium Nitride är en typ av halvledarteknik som används vid produktion av högfrekventa elektroniska enheter, inklusive förstärkare, transistorer och kraftenheter för radiofrekvens (RF) applikationer. RF GaN-enheterna används i stor utsträckning i trådlösa kommunikationssystem, radarsystem, satellitkommunikation och andra högfrekvensapplikationer. Enheternas förmåga att hantera höga effektnivåer med mindre storlekar anses vara en av de viktigaste faktorerna som driver tillväxten av RF GaN-marknaden.

RF GaN-marknaden drivs av det växande behovet av snabbare datahastigheter, förbättrad kapacitet och förbättrad anslutning i trådlösa kommunikationsnät. Vidare är ökande samarbeten mellan företagen för att introducera avancerade RF GaN-enheter en annan nyckelfaktor som positivt påverkar marknadstillväxten. I maj 2021 samarbetade Raytheon Technologies med Globalfoundries (GF) för att utveckla GaN-on-Si-halvledare utrustad med förbättrad RF-prestanda. Dessutom förväntas faktorer, inklusive framsteg inom teknik, inklusive Internet of Things (IoT), autonoma fordon och smarta städer att driva tillväxten av RF GaN-marknaden under prognosperioden.

RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) Rapport täckning

Rapportera attribut	Rapportera detaljer
Studera tidslinje	2017-2030
Marknadsstorlek 2030 (USD Million)	4,203,78 miljoner
CAGR (2023-2030)	18,6 %
Basår	2022
Typ av	GaN-on-Si, GaN-on-SiC och andra
genom produkttyp	RF Transistors, RF Amplifiers och andra
genom ansökan	Militär, Telecom, satellitkommunikation, Wired Broadband, Data Centers, Automotive, Marine och andra
av geografi	Asia-Pacific [Kina, Sydostasien, Indien, Japan, Korea, Västasien] Europa Europa [Tyskland, Storbritannien, Frankrike, Italien, Ryssland, Spanien, Nederländerna, Turkiet] Nordamerika [USA, Kanada, Mexiko] Mellanöstern och Afrika [GCC, Nordafrika, Sydafrika] Sydamerika [Brazil, Argentina, Columbia, Chile, Peru]
Nyckelspelare	Qorvo, Inc, Analog Devices, Inc. Aethercomm, WOLFSPEED, INC., Integra Technologies Inc., MACOM, Mitsubishi Electric Corporation, STMicroelectronics, Raytheon Technologies Corporation, MaxLinear, Microsemi, NXP Semiconductors, Sumitomo Electric Industries, Ltd., Mercury Systems, Inc.

Begär prov

Marknadsdynamiken:

Förare:

Växande telekommunikationssektor driver marknadstillväxten

RF GaN-tekniken möjliggör högre effekt och ökad effektivitet, så att telekommunikationsföretagen kan möta ökad efterfrågan på dataöverföring och nätverkskapacitet. Dessutom anses ökning i antagandet av 5G-teknik vara en av de viktigaste faktorerna som driver efterfrågan på RF GaN-enheter, eftersom enheterna är avgörande för att uppnå önskad täckning, datahastigheter och spektraleffektivitet i 5G-nät. Även faktorer som ökar efterfrågan på snabbare datahastigheter, förbättrad nätverkskapacitet, små cellinsatser och andra driver tillväxten av RF GaN-marknaden.

Dessutom är faktorer som ökar penetrationen av 5G-infrastrukturen tillsammans med den ökande antagandet av smartphones och kommunikationsenheter de viktigaste aspekterna som främjar tillväxten av telekommunikationssektorn. Enligt Viavi Solutions Inc. utplacerades 5G-tjänster i 65 länder över hela världen år 2021, vilket motsvarar en betydande ökning med över 20% jämfört med 2020. På grund av de faktorer som nämns ovan ökar den växande telekommunikationssektorn tillväxten av RF GaN-marknaden globalt.

Restraint:

Närvaro av alternativ i form av Gallium Arsenide (GaAs) och Silicon LDMOS begränsar marknadstillväxten

Kisel LDMOS-tekniken används allmänt för RF-strömapplikationer i lägre frekvensområden inklusive sändningssändare, cellbasstationer och andra. Kisel LDMOS-tekniken erbjuder flera fördelar jämfört med RF GaN-teknik, inklusive bra strömhanteringsfunktioner, kostnadseffektivitet och mogen tillverkningsekosystem. Vidare erbjuder Gallium Arsenide (GaAs) teknik hög elektronmobilitet jämfört med RF GaN-teknik, vilket resulterar i höghastighetsoperation och bättre linjäritet. På grund av ovannämnda faktorer begränsar närvaron av substitut tillväxten av RF GaN-marknaden.

RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) marknadssegmentering:



Typ av

Produkttypsegmentet är indelat i GaN-on-Si, GaN-on-SiC och andra.
GaN-on-SiC segmentet stod för största marknadsandelar när det gäller intäkter i RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) marknaden 2022. Gan-on-SiC-teknikbaserade enheter är utrustade med förmågan att hantera högre effektnivåer och uppvisa högre effekttäthet, vilket gör den lämplig för högeffektiva RF-enheter inklusive förstärkare. I juni 2021 lanserade Microchip Technology Inc GMICP2731-10 GaN MMIC, en RF GaN-förstärkare för satellitkommunikationsapplikationer. Förstärkaren är tillverkad med hjälp av GaN-on-Sic-tekniken och levererar upp till 10W-kraft. Dessutom driver faktorer som bred bandbredd, robusthet och hög tillförlitlighet bland andra antagandet av GaN-on-Sic-teknik.

Vidare förväntas segmentet GaN-on-Si växa stadigt under prognosperioden. I GaN-on-Si-tekniken deponeras GaN-materialet på ett silikonsubstrat. Gan-on-Si anses vara den mest kostnadseffektiva tekniken, vilket är en av de viktigaste faktorerna som förväntas påverka antagandet av denna teknik under den kommande perioden.

genom produkttyp

Produkttypsegmentet är indelat i RF-transistorer, RF-förstärkare och andra.

Transistors-segmentet stod för den största marknadsandelen när det gäller intäkter på marknaden för RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) år 2022. Transistorerna som tillverkas med RF-GaN-tekniken kännetecknas av hög effekttäthet, brett frekvensområde och hög linjäritet. Ökad efterfrågan på högeffektiva och högfrekventa elektroniska system anses vara en nyckelfaktor som driver efterfrågan på RF Gan-baserade transistorer.

Vidare förväntas förstärkarsegmentet växa stadigt under prognosperioden. RF GaN-förstärkare används ofta i flera tillämpningar, inklusive trådlös kommunikation, radarsystem, elektronisk krigföring, satellitkommunikation och andra. Utbyggnaden av flyg- och försvarsindustrin över hela världen förväntas öka efterfrågan på RF GaN-baserade förstärkare under den kommande perioden. I december 2021 lanserade CAES en högeffektiv GaN-baserad RF-förstärkare för att ge elektronisk attackkapacitet till luftburna system, drönare och annan militär utrustning. Dessutom förväntas faktorer som ökar efterfrågan på effektiva strömförbrukningssystem positivt påverka marknadstillväxten under prognosperioden.

Genom ansökan:

Ansökningssegmentet är indelat i militär, telekom, satellitkommunikation, trådbunden bredband, datacenter, fordon, marina och andra.

Satellitkommunikationssegmentet stod för en betydande andel på marknaden RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride). RF GaN-baserade enheter inklusive förstärkare och transistorer ger hög effektivitet, högre datahastigheter och bättre signalkvalitet i telekommunikationsindustrin. Därför introducerar flera företag RF GaN-baserade enheter för telekommunikationssektorn, vilket är en av de viktigaste faktorerna som driver marknadens tillväxt. I maj 2022 färdigställde STMicroelectronics och MACOM produktionen av RF Gan-on-Si prototyp. Prototypen produceras med målet att erbjuda potential för 5G- och 6G-infrastrukturen.

Vidare används RF Gan-baserade enheter i stor utsträckning i marina radarsystem för navigering, kollisionsundvikelse och måldetektering. Dessutom spelar RF GAN-tekniken en viktig roll för att möjliggöra högre effekt och effektiv drift för att säkerställa robusta kommunikationsförbindelser mellan havsfartyg och satellitnät. De ökande investeringarna i havssektorn och nya skeppsbyggnadsprojekt är de viktigaste faktorerna som driver tillväxten av havssektorn. 2018 investerade det sydafrikanska försvarsdepartementet 225,7 miljoner USD för utveckling av tre fartyg. På grund av ovan nämnda, förväntas ökad tillämpning av RF GaN-tekniken inom marinsektorn positivt påverka marknadstillväxten under prognosperioden.

Region:

Det regionala segmentet inkluderar Nordamerika, Europa, Asien och Stilla havet, Mellanöstern och Afrika och Latinamerika. Den nordamerikanska regionen anses bidra med den största intäktsandelen år 2022. Ökande investeringar för att anta RF GaN-tekniken inom militärsektorn anses vara en av de viktigaste faktorerna för marknadstillväxten i regionen. Till exempel i december 2021 fick Transphorm, Inc. ett kontrakt på 0,9 miljoner USD från US Defense Advanced Research Projects Agency (DARPA) för att tillverka GaN-lösningar för kommersiella och DoD-radiofrekvensapplikationer.



Dessutom förväntas Asien-Stillahavsområdet bevittna betydande tillväxt under prognosperioden. Den snabba takten i urbanisering, industrialisering och utveckling i Asien-Stillahavsområdet skapar lukrativa möjligheter till marknadstillväxt i regionen. Dessutom förväntas öka telekommunikationen i Asien och Stillahavsområdet på grund av ökad användning av 5G-nätverk påverka antagandet av RF GaN-teknik i regionen under prognosperioden.

RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) Market Competitive Landscape:

Marknadens konkurrenslandskap har analyserats i rapporten, tillsammans med de detaljerade profilerna för de stora aktörerna som verkar i branschen. Vidare har ökningen av forskning och utveckling (R&D), produktinnovation, olika affärsstrategier och applikationslanseringar påskyndat tillväxten av Global RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride). Viktiga aktörer på marknaden inkluderar-

Qorvo, Inc
Analoga enheter, Inc.
Aethercomm
WOLFSPEED, INC.
Integra Technologies Inc.
MACOM
Mitsubishi Electric Corporation
· STMicroelectronics
Raytheon Technologies Corporation
MaxLinear
Mikrosemi
NXP Semiconductors
Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Mercury Systems, Inc.

Nyligen utvecklade

I juni 2021 lanserade MaxLinear, Inc. och Wolfspeed RF Gan-on-SiC kraftförstärkare. Förstärkarna är utformade för att öka den trådlösa kapaciteten hos 5G-basstationerna genom att öka dataöverföringshastigheten och stödja fler användare.

· I december 2021 lanserade CAES en kraftfull GaN-baserad RF-förstärkare för att ge elektronisk attackkapacitet till luftburna system, drönare och annan militär utrustning.