RF GaN (Radio-Fréquence Gallium Nitride) Marché 2022 (Taille) Prévisions d'ici 2030 (Version mise à jour disponible)
RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) Marché de la taille, de la part et des tendances, par type (GaN-on-Si, GaN-on-SiC, etc.), par type de produit (transistors RF, amplificateurs RF, etc.), par demande (militaire, télécommunications, communications par satellite, haut débit par fil, centres de données, automobile, maritime, etc.), par région, période de prévision-2022-2030.
ID du rapport : RI_673890 | Date : November 2024 |
Format : 
Marché clé Aperçu:
Le marché RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) a fait l'objet d'une évaluation de 1 093,71 millions de dollars en 2022, avec un TCAC notable de 18,6 % prévu au cours de la période de prévision (2023-2030). Le marché est sur le point d'atteindre une valeur significative de 4 203,78 millions de dollars d'ici 2030.
RF GaN ou Gallium Nitride de fréquence radio est un type de technologie de semi-conducteur qui est utilisé dans la production de dispositifs électroniques haute fréquence, y compris des amplificateurs, des transistors et des dispositifs de puissance pour les applications de radiofréquences (RF). Les appareils RF GaN sont largement utilisés dans les systèmes de communication sans fil, les systèmes radar, les communications par satellite et d'autres applications à haute fréquence. La capacité des appareils à gérer des niveaux de puissance élevés avec des tailles plus petites est considérée comme l'un des facteurs clés qui motivent la croissance du marché des RF GaN.
Le marché du RF GaN est motivé par le besoin croissant de taux de données plus rapides, d'une capacité accrue et d'une connectivité accrue dans les réseaux de communication sans fil. De plus, les collaborations croissantes des entreprises pour introduire des dispositifs RF GaN avancés sont un autre facteur clé qui influe positivement sur la croissance du marché. Par exemple, en mai 2021, Raytheon Technologies a collaboré avec Globalfoundries (GF) au développement de semi-conducteurs GaN-on-Si dotés de performances RF améliorées. De plus, des facteurs tels que les progrès technologiques, y compris l'Internet des objets (IoT), les véhicules autonomes et les villes intelligentes, devraient alimenter la croissance du marché des RF GaN au cours de la période de prévision.
RF GaN (Nitride de Gallium radiofréquence) Couverture du rapport
Demande d'échantillon
Dynamique du marché :
Conducteur :
Le secteur des télécommunications est en pleine croissance
La technologie RF GaN permet une plus grande puissance et une efficacité accrue, permettant aux entreprises de télécommunications de répondre à la demande croissante de transmission de données et de capacité réseau. De plus, l'adoption massive de la technologie 5G est considérée comme l'un des facteurs clés qui alimentent la demande pour les dispositifs RF GaN, car les dispositifs sont essentiels pour atteindre la couverture souhaitée, les taux de données et l'efficacité spectrale dans les réseaux 5G. De plus, des facteurs comme l'augmentation de la demande de taux de données plus rapides, l'amélioration de la capacité du réseau, le déploiement de petites cellules et d'autres facteurs sont à l'origine de la croissance du marché des RF GaN.
En outre, des facteurs tels que la pénétration croissante de l'infrastructure 5G et l'adoption croissante de smartphones et de dispositifs de communication sont les principaux facteurs favorisant la croissance du secteur des télécommunications. Par exemple, selon Viavi Solutions Inc., les services 5G ont été déployés dans 65 pays à travers le monde en 2021, ce qui représente une augmentation substantielle de plus de 20 % par rapport à 2020. Par conséquent, compte tenu des facteurs mentionnés ci-dessus, la croissance du secteur des télécommunications stimule la croissance du marché mondial des RF GaN.
3.1.2 Retenue:
La présence d'alternatives sous forme d'Arsenide de Gallium (GaAs) et de Silicon LDMOS freine la croissance du marché
La technologie LDMOS de silicium est largement utilisée pour les applications de puissance RF dans les gammes de fréquences inférieures, y compris les émetteurs de radiodiffusion, les stations de base cellulaires, et d'autres. La technologie LDMOS au silicium offre plusieurs avantages par rapport à la technologie RF GaN, notamment de bonnes capacités de manipulation de puissance, une rentabilité et un écosystème de fabrication mature. De plus, la technologie Gallium Arsenide (GaAs) offre une grande mobilité électronique par rapport à la technologie RF GaN, ce qui permet un fonctionnement à grande vitesse et une meilleure linéarité. Par conséquent, en raison des facteurs susmentionnés, la présence de substituts freine la croissance du marché de RF GaN.
RF GaN (Nitride de Gallium radiofréquence) Segmentation du marché :
Par type
Le segment de type de produit est divisé en GaN-on-Si, GaN-on-SiC et autres.
En 2022, le segment GaN-on-SiC représentait la plus grande part du marché en termes de revenus sur le marché de la RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride). Les appareils à technologie Gan-on-SiC sont équipés de la capacité de gérer des niveaux de puissance plus élevés et présentent une densité de puissance plus élevée, ce qui le rend adapté aux appareils RF de haute puissance, y compris les amplificateurs. Par exemple, en juin 2021, Microchip Technology Inc a lancé GMICP2731-10 GaN MCIC, un amplificateur RF GaN pour les applications de communication par satellite. L'amplificateur est fabriqué en utilisant la technologie GaN-on-Sic et fournit jusqu'à 10W puissance. De plus, des facteurs tels que la large bande passante, la robustesse et la grande fiabilité sont à l'origine de l'adoption de la technologie GaN-on-Sic.
De plus, le segment GaN-on-Si devrait croître régulièrement au cours de la période de prévision. Dans la technologie GaN-on-Si, le matériau GaN est déposé sur un substrat de silicium. Le Gan-on-Si est considéré comme la technologie la plus rentable, qui est l'un des facteurs clés qui devrait avoir une incidence positive sur l'adoption de cette technologie au cours de la prochaine période.
Par type de produit
Le segment du type de produit est divisé en transistors RF, amplificateurs RF et autres.
Le segment des transistors représentait la plus grande part du marché en termes de revenus sur le marché des RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) en 2022. Les transistors fabriqués avec la technologie RF-GaN sont caractérisés par une haute densité de puissance, une large gamme de fréquences et une linéarité élevée. La demande croissante de systèmes électroniques à haute puissance et à haute fréquence est considérée comme un facteur clé de la demande de transistors à base de RF Gan.
De plus, le segment de l'amplificateur devrait croître régulièrement au cours de la période de prévision. Les amplificateurs RF GaN sont largement utilisés dans plusieurs applications, dont la communication sans fil, les systèmes radar, la guerre électronique, la communication par satellite, etc. De plus, l'expansion de l'industrie de l'aérospatiale et de la défense mondiale devrait alimenter la demande d'amplificateurs RF GaN au cours de la prochaine période. Par exemple, en décembre 2021, la CAES a lancé un amplificateur RF de haute puissance basé sur GaN pour fournir une capacité d'attaque électronique aux systèmes aéroportés, aux drones et à d'autres équipements militaires. En outre, des facteurs tels que l'augmentation de la demande de systèmes de consommation d'électricité efficaces devraient avoir une incidence positive sur la croissance du marché au cours de la période de prévision.
Par demande :
Le segment des applications est divisé en militaires, télécommunications, communications par satellite, haut débit câblé, centres de données, automobile, maritime, etc.
Le segment des communications par satellite représentait une part importante du marché de RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride). Les appareils RF GaN, y compris les amplificateurs et les transistors, offrent une efficacité élevée, des taux de données plus élevés et une meilleure qualité des signaux dans l'industrie des télécommunications. Par conséquent, plusieurs entreprises mettent en place des dispositifs RF GaN pour le secteur des télécommunications, qui est l'un des facteurs clés de la croissance du marché. Par exemple, en mai 2022, STMicroelectronics et MACOM ont terminé la production du prototype RF Gan-on-Si. Le prototype est produit dans le but d'offrir un potentiel pour les infrastructures 5G et 6G.
De plus, les appareils RF Gan sont largement utilisés dans les systèmes radar marins pour la navigation, l'évitement des collisions et la détection des cibles. De plus, la technologie RF GAN joue un rôle essentiel pour permettre une production d'énergie plus élevée et une exploitation efficace afin d'assurer des liaisons de communication solides entre les navires et les réseaux de satellites. Les investissements croissants dans le secteur maritime et les nouveaux projets de construction navale sont les facteurs clés de la croissance du secteur maritime. Par exemple, en 2018, le Département sud-africain de la défense a investi 225,7 millions de dollars pour le développement de trois navires. Par conséquent, en raison de ce qui précède, l'application croissante de la technologie RF GaN dans le secteur maritime devrait avoir une incidence positive sur la croissance du marché au cours de la période de prévision.
Par région:
Le segment régional comprend l'Amérique du Nord, l'Europe, l'Asie-Pacifique, le Moyen-Orient et l'Afrique, et l'Amérique latine. La région de l'Amérique du Nord est considérée comme la plus importante part des revenus en 2022. L'augmentation des investissements pour adopter la technologie RF GaN dans le secteur militaire est considérée comme l'un des facteurs clés de la croissance du marché dans la région. Par exemple, en décembre 2021, Transphorm, Inc. a reçu un contrat de 0,9 million de dollars de la Defense Advanced Research Projects Agency (DARPA) des États-Unis pour la fabrication de solutions GaN pour les applications radio commerciales et DoD.
En outre, la région Asie-Pacifique devrait connaître une croissance substantielle au cours de la période de prévision. Le rythme rapide de l'urbanisation, de l'industrialisation et du développement dans la région Asie-Pacifique crée des possibilités lucratives de croissance du marché dans la région. De plus, l'expansion des télécommunications dans la région de l'Asie-Pacifique en raison du déploiement croissant de réseaux 5G devrait avoir une incidence positive sur l'adoption de la technologie RF GaN dans la région au cours de la période de prévision.
RF GaN (Radio-Fréquence Gallium Nitride) Paysage concurrentiel :
Le paysage concurrentiel du marché a été analysé dans le rapport, ainsi que les profils détaillés des principaux acteurs du secteur. De plus, l'essor de la recherche et du développement (R-D), de l'innovation de produits, de diverses stratégies d'affaires et des lancements d'applications ont accéléré la croissance du marché mondial de la RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride). Les principaux acteurs du marché sont notamment :
« € » Qorvo, Inc
â €¢ Appareils analogiques, Inc.
Aethercomm
¢ € ¢ WOLFSPEED, INC.
â €¢ Integra Technologies Inc.
MACOM
â €¢ Mitsubishi Electric Corporation
â €¢ STMicroélectronique
« €¢ Raytheon Technologies Corporation
MaxLinear
â €¢ Microsemi
â €¢ NXP Semiconductors
â €¢ Sumitomo Electric Industries, Ltd.
â €¢ Mercury Systems, Inc.
Faits nouveaux
â €¢ En juin 2021, MaxLinear, Inc. et Wolfspeed ont lancé des amplificateurs RF Gan-on-SiC. Les amplificateurs sont conçus pour augmenter la capacité sans fil des stations de base 5G en augmentant la vitesse de transmission des données et en soutenant davantage d'utilisateurs.
â €¢ En décembre 2021, le CAES a lancé un amplificateur RF de haute puissance basé sur GaN pour fournir une capacité d'attaque électronique aux systèmes aéroportés, aux drones et à d'autres équipements militaires.
Le marché RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) a fait l'objet d'une évaluation de 1 093,71 millions de dollars en 2022, avec un TCAC notable de 18,6 % prévu au cours de la période de prévision (2023-2030). Le marché est sur le point d'atteindre une valeur significative de 4 203,78 millions de dollars d'ici 2030.
RF GaN ou Gallium Nitride de fréquence radio est un type de technologie de semi-conducteur qui est utilisé dans la production de dispositifs électroniques haute fréquence, y compris des amplificateurs, des transistors et des dispositifs de puissance pour les applications de radiofréquences (RF). Les appareils RF GaN sont largement utilisés dans les systèmes de communication sans fil, les systèmes radar, les communications par satellite et d'autres applications à haute fréquence. La capacité des appareils à gérer des niveaux de puissance élevés avec des tailles plus petites est considérée comme l'un des facteurs clés qui motivent la croissance du marché des RF GaN.
Le marché du RF GaN est motivé par le besoin croissant de taux de données plus rapides, d'une capacité accrue et d'une connectivité accrue dans les réseaux de communication sans fil. De plus, les collaborations croissantes des entreprises pour introduire des dispositifs RF GaN avancés sont un autre facteur clé qui influe positivement sur la croissance du marché. Par exemple, en mai 2021, Raytheon Technologies a collaboré avec Globalfoundries (GF) au développement de semi-conducteurs GaN-on-Si dotés de performances RF améliorées. De plus, des facteurs tels que les progrès technologiques, y compris l'Internet des objets (IoT), les véhicules autonomes et les villes intelligentes, devraient alimenter la croissance du marché des RF GaN au cours de la période de prévision.
RF GaN (Nitride de Gallium radiofréquence) Couverture du rapport
| Attributs du rapport | Détails du rapport |
| Calendrier de l'étude | 2017-2030 |
| Taille du marché en 2030 (en millions d'USD) | 4 203,78 millions |
| TCAC (2023-2030) | 18,6 % |
| Année de référence | 2022 |
| Par type | GaN-on-Si, GaN-on-SiC et autres |
| Par type de produit | Transistors RF, amplificateurs RF et autres |
| Par demande | Militaires, télécommunications, communications par satellite, haut débit par fil, centres de données, automobile, maritime et autres |
| Par géographie |
|
| Joueurs clés | Qorvo, Inc, Analog Devices, Inc. Aethercomm, WOLFSPEED, INC., Integra Technologies Inc., MACOM, Mitsubishi Electric Corporation, STMicroelectronics, Raytheon Technologies Corporation, MaxLinear, Microsemi, NXP Semiconductors, Sumitomo Electric Industries, Ltd., Mercury Systems, Inc. |
Dynamique du marché :
Conducteur :
Le secteur des télécommunications est en pleine croissance
La technologie RF GaN permet une plus grande puissance et une efficacité accrue, permettant aux entreprises de télécommunications de répondre à la demande croissante de transmission de données et de capacité réseau. De plus, l'adoption massive de la technologie 5G est considérée comme l'un des facteurs clés qui alimentent la demande pour les dispositifs RF GaN, car les dispositifs sont essentiels pour atteindre la couverture souhaitée, les taux de données et l'efficacité spectrale dans les réseaux 5G. De plus, des facteurs comme l'augmentation de la demande de taux de données plus rapides, l'amélioration de la capacité du réseau, le déploiement de petites cellules et d'autres facteurs sont à l'origine de la croissance du marché des RF GaN.
En outre, des facteurs tels que la pénétration croissante de l'infrastructure 5G et l'adoption croissante de smartphones et de dispositifs de communication sont les principaux facteurs favorisant la croissance du secteur des télécommunications. Par exemple, selon Viavi Solutions Inc., les services 5G ont été déployés dans 65 pays à travers le monde en 2021, ce qui représente une augmentation substantielle de plus de 20 % par rapport à 2020. Par conséquent, compte tenu des facteurs mentionnés ci-dessus, la croissance du secteur des télécommunications stimule la croissance du marché mondial des RF GaN.
3.1.2 Retenue:
La présence d'alternatives sous forme d'Arsenide de Gallium (GaAs) et de Silicon LDMOS freine la croissance du marché
La technologie LDMOS de silicium est largement utilisée pour les applications de puissance RF dans les gammes de fréquences inférieures, y compris les émetteurs de radiodiffusion, les stations de base cellulaires, et d'autres. La technologie LDMOS au silicium offre plusieurs avantages par rapport à la technologie RF GaN, notamment de bonnes capacités de manipulation de puissance, une rentabilité et un écosystème de fabrication mature. De plus, la technologie Gallium Arsenide (GaAs) offre une grande mobilité électronique par rapport à la technologie RF GaN, ce qui permet un fonctionnement à grande vitesse et une meilleure linéarité. Par conséquent, en raison des facteurs susmentionnés, la présence de substituts freine la croissance du marché de RF GaN.
RF GaN (Nitride de Gallium radiofréquence) Segmentation du marché :
Par type
Le segment de type de produit est divisé en GaN-on-Si, GaN-on-SiC et autres.
En 2022, le segment GaN-on-SiC représentait la plus grande part du marché en termes de revenus sur le marché de la RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride). Les appareils à technologie Gan-on-SiC sont équipés de la capacité de gérer des niveaux de puissance plus élevés et présentent une densité de puissance plus élevée, ce qui le rend adapté aux appareils RF de haute puissance, y compris les amplificateurs. Par exemple, en juin 2021, Microchip Technology Inc a lancé GMICP2731-10 GaN MCIC, un amplificateur RF GaN pour les applications de communication par satellite. L'amplificateur est fabriqué en utilisant la technologie GaN-on-Sic et fournit jusqu'à 10W puissance. De plus, des facteurs tels que la large bande passante, la robustesse et la grande fiabilité sont à l'origine de l'adoption de la technologie GaN-on-Sic.
De plus, le segment GaN-on-Si devrait croître régulièrement au cours de la période de prévision. Dans la technologie GaN-on-Si, le matériau GaN est déposé sur un substrat de silicium. Le Gan-on-Si est considéré comme la technologie la plus rentable, qui est l'un des facteurs clés qui devrait avoir une incidence positive sur l'adoption de cette technologie au cours de la prochaine période.
Par type de produit
Le segment du type de produit est divisé en transistors RF, amplificateurs RF et autres.
Le segment des transistors représentait la plus grande part du marché en termes de revenus sur le marché des RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) en 2022. Les transistors fabriqués avec la technologie RF-GaN sont caractérisés par une haute densité de puissance, une large gamme de fréquences et une linéarité élevée. La demande croissante de systèmes électroniques à haute puissance et à haute fréquence est considérée comme un facteur clé de la demande de transistors à base de RF Gan.
De plus, le segment de l'amplificateur devrait croître régulièrement au cours de la période de prévision. Les amplificateurs RF GaN sont largement utilisés dans plusieurs applications, dont la communication sans fil, les systèmes radar, la guerre électronique, la communication par satellite, etc. De plus, l'expansion de l'industrie de l'aérospatiale et de la défense mondiale devrait alimenter la demande d'amplificateurs RF GaN au cours de la prochaine période. Par exemple, en décembre 2021, la CAES a lancé un amplificateur RF de haute puissance basé sur GaN pour fournir une capacité d'attaque électronique aux systèmes aéroportés, aux drones et à d'autres équipements militaires. En outre, des facteurs tels que l'augmentation de la demande de systèmes de consommation d'électricité efficaces devraient avoir une incidence positive sur la croissance du marché au cours de la période de prévision.
Par demande :
Le segment des applications est divisé en militaires, télécommunications, communications par satellite, haut débit câblé, centres de données, automobile, maritime, etc.
Le segment des communications par satellite représentait une part importante du marché de RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride). Les appareils RF GaN, y compris les amplificateurs et les transistors, offrent une efficacité élevée, des taux de données plus élevés et une meilleure qualité des signaux dans l'industrie des télécommunications. Par conséquent, plusieurs entreprises mettent en place des dispositifs RF GaN pour le secteur des télécommunications, qui est l'un des facteurs clés de la croissance du marché. Par exemple, en mai 2022, STMicroelectronics et MACOM ont terminé la production du prototype RF Gan-on-Si. Le prototype est produit dans le but d'offrir un potentiel pour les infrastructures 5G et 6G.
De plus, les appareils RF Gan sont largement utilisés dans les systèmes radar marins pour la navigation, l'évitement des collisions et la détection des cibles. De plus, la technologie RF GAN joue un rôle essentiel pour permettre une production d'énergie plus élevée et une exploitation efficace afin d'assurer des liaisons de communication solides entre les navires et les réseaux de satellites. Les investissements croissants dans le secteur maritime et les nouveaux projets de construction navale sont les facteurs clés de la croissance du secteur maritime. Par exemple, en 2018, le Département sud-africain de la défense a investi 225,7 millions de dollars pour le développement de trois navires. Par conséquent, en raison de ce qui précède, l'application croissante de la technologie RF GaN dans le secteur maritime devrait avoir une incidence positive sur la croissance du marché au cours de la période de prévision.
Par région:
Le segment régional comprend l'Amérique du Nord, l'Europe, l'Asie-Pacifique, le Moyen-Orient et l'Afrique, et l'Amérique latine. La région de l'Amérique du Nord est considérée comme la plus importante part des revenus en 2022. L'augmentation des investissements pour adopter la technologie RF GaN dans le secteur militaire est considérée comme l'un des facteurs clés de la croissance du marché dans la région. Par exemple, en décembre 2021, Transphorm, Inc. a reçu un contrat de 0,9 million de dollars de la Defense Advanced Research Projects Agency (DARPA) des États-Unis pour la fabrication de solutions GaN pour les applications radio commerciales et DoD.
En outre, la région Asie-Pacifique devrait connaître une croissance substantielle au cours de la période de prévision. Le rythme rapide de l'urbanisation, de l'industrialisation et du développement dans la région Asie-Pacifique crée des possibilités lucratives de croissance du marché dans la région. De plus, l'expansion des télécommunications dans la région de l'Asie-Pacifique en raison du déploiement croissant de réseaux 5G devrait avoir une incidence positive sur l'adoption de la technologie RF GaN dans la région au cours de la période de prévision.
RF GaN (Radio-Fréquence Gallium Nitride) Paysage concurrentiel :
Le paysage concurrentiel du marché a été analysé dans le rapport, ainsi que les profils détaillés des principaux acteurs du secteur. De plus, l'essor de la recherche et du développement (R-D), de l'innovation de produits, de diverses stratégies d'affaires et des lancements d'applications ont accéléré la croissance du marché mondial de la RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride). Les principaux acteurs du marché sont notamment :
« € » Qorvo, Inc
â €¢ Appareils analogiques, Inc.
Aethercomm
¢ € ¢ WOLFSPEED, INC.
â €¢ Integra Technologies Inc.
MACOM
â €¢ Mitsubishi Electric Corporation
â €¢ STMicroélectronique
« €¢ Raytheon Technologies Corporation
MaxLinear
â €¢ Microsemi
â €¢ NXP Semiconductors
â €¢ Sumitomo Electric Industries, Ltd.
â €¢ Mercury Systems, Inc.
Faits nouveaux
â €¢ En juin 2021, MaxLinear, Inc. et Wolfspeed ont lancé des amplificateurs RF Gan-on-SiC. Les amplificateurs sont conçus pour augmenter la capacité sans fil des stations de base 5G en augmentant la vitesse de transmission des données et en soutenant davantage d'utilisateurs.
â €¢ En décembre 2021, le CAES a lancé un amplificateur RF de haute puissance basé sur GaN pour fournir une capacité d'attaque électronique aux systèmes aéroportés, aux drones et à d'autres équipements militaires.
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