RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) Market 2022 ← Tamaño Silencioso Previsión 2030 (Versión actualizada disponible)
RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) Market tención Tamaño, Compartir " Análisis de tendencias, por tipo (GaN-on-Si, GaN-on-SiC y otros), por tipo de producto (transistores RF, amplificadores RF y otros), por aplicación (Militar, Telecom, comunicación por satélite, banda anchada, centros de datos, otros automotivos, 20 años)
Identificación del informe : RI_673890 | Fecha : October 2024 |
Formato : 
Mercado clave Sinopsis:
El mercado RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) exhibió una valoración de USD 1,093,71 millones en 2022, con una notable CAGR de 18.6% proyectada durante el período de previsión (2023-2030). El mercado está preparado para alcanzar un valor significativo de USD 4,203.78 millones para 2030.
RF GaN o radiofrecuencia Gallium Nitride es un tipo de tecnología semiconductora que se utiliza en la producción de dispositivos electrónicos de alta frecuencia, incluyendo amplificadores, transistores y dispositivos de potencia para aplicaciones de radiofrecuencia (RF). Los dispositivos RF GaN son ampliamente utilizados en sistemas de comunicación inalámbrica, sistemas de radar, comunicación por satélite y otras aplicaciones de alta frecuencia. La capacidad de los dispositivos para manejar altos niveles de potencia con tamaños más pequeños se considera uno de los factores clave que impulsan el crecimiento del mercado RF GaN.
El mercado RF GaN está impulsado por la creciente necesidad de tasas de datos más rápidas, mayor capacidad y mayor conectividad en redes de comunicación inalámbrica. Además, aumentar las colaboraciones de las empresas para introducir dispositivos avanzados de RF GaN es otro factor clave que impacta positivamente el crecimiento del mercado. Por ejemplo, en mayo de 2021, Raytheon Technologies colaboró con Globalfoundries (GF) para desarrollar semiconductor GaN-on-Si equipado con un mejor rendimiento RF. Además, se espera que factores como los avances en tecnologías como Internet de las Cosas (IoT), vehículos autónomos y ciudades inteligentes alimenten el crecimiento del mercado RF GaN durante el período previsto.
RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) Report Coverage
Solicitud de muestra
Dinámica del mercado:
Conductor:
El creciente sector de las telecomunicaciones impulsa el crecimiento del mercado
La tecnología RF GaN permite una mayor producción de energía y una mayor eficiencia, permitiendo que las compañías de telecomunicaciones respondan a la creciente demanda de transmisión de datos y capacidad de red. Además, el aumento en la adopción de la tecnología 5G se considera uno de los factores clave que alimentan la demanda de los dispositivos RF GaN, ya que los dispositivos son cruciales para lograr la cobertura deseada, las tasas de datos y la eficiencia espectral en las redes 5G. Además, factores que incluyen aumentar la demanda de tasas de datos más rápidas, aumentar la capacidad de red, pequeños despliegues de células, y otros están impulsando el crecimiento del mercado RF GaN.
Además, los factores que incluyen la creciente penetración de la infraestructura 5G junto con la creciente adopción de teléfonos inteligentes y dispositivos de comunicación son los aspectos clave que promueven el crecimiento del sector de las telecomunicaciones. Por ejemplo, según Viavi Solutions Inc., los servicios de 5G se desplegaron en 65 países de todo el mundo en 2021, lo que representa un aumento sustancial de más del 20% en comparación con 2020. Por lo tanto, atribuyendo a los factores mencionados anteriormente, el creciente sector de las telecomunicaciones está impulsando el crecimiento del mercado RF GaN a nivel mundial.
Restricción:
Presencia de alternativas en forma de Gallium Arsenide (GaAs) y Silicon LDMOS está restringiendo el crecimiento del mercado
La tecnología LDMOS de silicio es ampliamente utilizada para aplicaciones de potencia RF en rangos de menor frecuencia, incluyendo transmisores de transmisión, estaciones de base celular y otros. La tecnología LDMOS de silicio ofrece varios beneficios sobre la tecnología RF GaN incluyendo buenas capacidades de manejo de energía, eficacia de costes y ecosistema de fabricación maduro. Además, la tecnología Gallium Arsenide (GaAs) ofrece alta movilidad de electrones en comparación con la tecnología RF GaN, lo que da lugar a una operación de alta velocidad y una mejor linealidad. Por consiguiente, debido a los factores mencionados anteriormente, la presencia de sustitutos limita el crecimiento del mercado de RF GaN.
RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) Market Segmentation:
Por tipo
El segmento del tipo de producto se divide en GaN-on-Si, GaN-on-SiC y otros.
El segmento GaN-on-SiC representó la mayor cuota de mercado en términos de ingresos en el mercado RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) en 2022. Los dispositivos basados en tecnología Gan-on-SiC están equipados con la capacidad de manejar niveles de potencia más altos y exhibir mayor densidad de potencia, lo que lo hace adecuado para dispositivos RF de alta potencia incluyendo amplificadores. Por ejemplo, en junio de 2021 Microchip Technology Inc lanzó GMICP2731-10 GaN MMIC, un amplificador RF GaN para aplicaciones de comunicación por satélite. El amplificador se fabrica utilizando la tecnología GaN-on-Sic y entrega hasta 10W de potencia. Además, factores que incluyen ancho de banda, robustez y alta confiabilidad entre otros están impulsando la adopción de tecnología GaN-on-Sic.
Además, se espera que el segmento GaN-on-Si crezca constantemente durante el período previsto. En la tecnología GaN-on-Si, el material GaN se deposita en un sustrato de silicio. El Gan-on-Si se considera la tecnología más eficaz en función de los costos, que es uno de los factores clave que se espera impactar positivamente la adopción de esta tecnología en el próximo período.
Por tipo de producto
El segmento del tipo de producto se divide en transistores RF, amplificadores RF y otros.
El segmento de transistores representó la mayor cuota de mercado en términos de ingresos en el mercado RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) en 2022. Los transistores fabricados con la tecnología RF-GaN se caracterizan con alta densidad de potencia, amplio rango de frecuencia y alta linealidad. Se considera que el aumento de la demanda de sistemas electrónicos de alta potencia y alta frecuencia es un factor clave que impulsa la demanda de transistores basados en RF Gan.
Además, se espera que el segmento amplificador crezca constantemente durante el período de previsión. Los amplificadores RF GaN se utilizan ampliamente en varias aplicaciones, incluyendo comunicación inalámbrica, sistemas de radar, guerra electrónica, comunicación por satélite y otros. Además, se espera que la expansión de la industria aeroespacial y de defensa en todo el mundo genere la demanda de amplificadores basados en RF GaN en el próximo período. Por ejemplo, en diciembre de 2021, CAES lanzó un amplificador RF basado en GaN de alta potencia para proporcionar capacidad de ataque electrónico a sistemas aéreos, drones y otros equipos militares. Además, se prevé que los factores que incluyen el aumento de la demanda de sistemas eficientes de consumo de energía repercuten positivamente en el crecimiento del mercado durante el período previsto.
Por Aplicación:
El segmento de aplicación se divide en militares, telecomunicaciones, comunicaciones por satélite, banda ancha cableada, centros de datos, automotriz, marina y otros.
El segmento de comunicación por satélite representó una parte significativa en el mercado RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride). Los dispositivos basados en RF GaN, incluidos amplificadores y transistores, proporcionan una alta eficiencia, tasas de datos más altas y una mejor calidad de señal en la industria de las telecomunicaciones. Por lo tanto, varias empresas están introduciendo dispositivos basados en RF GaN para el sector de las telecomunicaciones, que es uno de los factores clave que impulsan el crecimiento del mercado. Por ejemplo, en mayo de 2022, STMicroelectronics y MACOM completaron la producción del prototipo RF Gan-on-Si. El prototipo se produce con el objetivo de ofrecer potencial para las infraestructuras 5G y 6G.
Además, los dispositivos basados en RF Gan se utilizan ampliamente en sistemas de radar marinos para la navegación, la evitación de colisiones y la detección de objetivos. Además, la tecnología RF GAN desempeña un papel vital para permitir una mayor producción de energía y un funcionamiento eficiente a fin de asegurar vínculos de comunicación sólidos entre los buques marinos y las redes satelitales. Las crecientes inversiones en el sector marítimo y los nuevos proyectos de construcción naval son los factores clave que impulsan el crecimiento del sector marítimo. Por ejemplo, en 2018, el Departamento de Defensa de Sudáfrica invirtió USD 225,7 millones para el desarrollo de tres buques. Por lo tanto, debido a lo anterior, se espera que el aumento de la aplicación de la tecnología RF GaN en el sector marítimo impacte positivamente el crecimiento del mercado durante el período previsto.
Por Región:
El segmento regional incluye América del Norte, Europa, Asia Pacífico, Oriente Medio y África, y América Latina. Se considera que la región de América del Norte contribuye a la mayor cuota de ingresos del año 2022. Se considera que el aumento de las inversiones para adoptar la tecnología RF GaN en el sector militar es uno de los factores clave que impulsan el crecimiento del mercado en la región. Por ejemplo, en diciembre de 2021, Transphorm, Inc. recibió un contrato de USD 0,9 millones de la Agencia de Proyectos de Investigación Avanzada de Defensa de EE.UU. (DARPA) para fabricar soluciones GaN para aplicaciones de radiofrecuencia comercial y DoD.
Además, se prevé que la región de Asia y el Pacífico experimente un crecimiento considerable durante el período previsto. El rápido ritmo de urbanización, industrialización y desarrollo en la región de Asia y el Pacífico está creando oportunidades lucrativas para el crecimiento del mercado en la región. Además, se espera que la ampliación de las telecomunicaciones en la región de Asia y el Pacífico debido al aumento del despliegue de redes de 5G repercute positivamente en la adopción de la tecnología RF GaN en la región durante el período previsto.
RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) Mercado Paisaje competitivo:
El panorama competitivo del mercado se ha analizado en el informe, junto con los perfiles detallados de los principales actores que operan en la industria. Además, el aumento de la innovación de productos, diversas estrategias empresariales y los lanzamientos de aplicaciones han acelerado el crecimiento del mercado mundial de la RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride). Los principales jugadores en el mercado incluyen...
# Qorvo, Inc
• Dispositivos analógicos, Inc.
# Aethercomm
â €¢ WOLFSPEED, INC.
Integra Technologies Inc.
â €¢ MACOM
Mitsubishi Electric Corporation
♪♪ STMicroelectronics
Raytheon Technologies Corporation
# MaxLinear
# Microsemi
â €¢ NXP Semiconductors
â €¢ Sumitomo Electric Industries, Ltd.
â €¢ Mercury Systems, Inc.
Novedades recientes
• En junio de 2021, MaxLinear, Inc. y Wolfspeed lanzaron amplificadores de potencia RF Gan-on-SiC. Los amplificadores están diseñados para aumentar la capacidad inalámbrica de las estaciones base 5G aumentando la velocidad de transmisión de datos y apoyando a más usuarios.
♪♪ En diciembre de 2021, CAES lanzó un amplificador RF de alta potencia basado en GaN para proporcionar capacidad de ataque electrónico a sistemas aéreos, drones y otros equipos militares.
El mercado RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) exhibió una valoración de USD 1,093,71 millones en 2022, con una notable CAGR de 18.6% proyectada durante el período de previsión (2023-2030). El mercado está preparado para alcanzar un valor significativo de USD 4,203.78 millones para 2030.
RF GaN o radiofrecuencia Gallium Nitride es un tipo de tecnología semiconductora que se utiliza en la producción de dispositivos electrónicos de alta frecuencia, incluyendo amplificadores, transistores y dispositivos de potencia para aplicaciones de radiofrecuencia (RF). Los dispositivos RF GaN son ampliamente utilizados en sistemas de comunicación inalámbrica, sistemas de radar, comunicación por satélite y otras aplicaciones de alta frecuencia. La capacidad de los dispositivos para manejar altos niveles de potencia con tamaños más pequeños se considera uno de los factores clave que impulsan el crecimiento del mercado RF GaN.
El mercado RF GaN está impulsado por la creciente necesidad de tasas de datos más rápidas, mayor capacidad y mayor conectividad en redes de comunicación inalámbrica. Además, aumentar las colaboraciones de las empresas para introducir dispositivos avanzados de RF GaN es otro factor clave que impacta positivamente el crecimiento del mercado. Por ejemplo, en mayo de 2021, Raytheon Technologies colaboró con Globalfoundries (GF) para desarrollar semiconductor GaN-on-Si equipado con un mejor rendimiento RF. Además, se espera que factores como los avances en tecnologías como Internet de las Cosas (IoT), vehículos autónomos y ciudades inteligentes alimenten el crecimiento del mercado RF GaN durante el período previsto.
RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) Report Coverage
| Report Attributes | Detalles del informe |
| Calendario de estudio | 2017-2030 |
| Tamaño del mercado en 2030 (USD Million) | 4.203,78 millones |
| CAGR (2023-2030) | 18,6% |
| Año base | 2022 |
| Por tipo | GaN-on-Si, GaN-on-SiC, y otros |
| Por tipo de producto | Transistores RF, amplificadores RF, y otros |
| By Application | Military, Telecom, Satellite Communication, Wired Broadband, Data Centers, Automotive, Marine, and Others |
| By Geography |
|
| Jugadores clave | Qorvo, Inc, Analog Devices, Inc. Aethercomm, WOLFSPEED, INC., Integra Technologies Inc., MACOM, Mitsubishi Electric Corporation, STMicroelectronics, Raytheon Technologies Corporation, MaxLinear, Microsemi, NXP Semiconductors, Sumitomo Electric Industries, Ltd., Mercury Systems, Inc. |
Dinámica del mercado:
Conductor:
El creciente sector de las telecomunicaciones impulsa el crecimiento del mercado
La tecnología RF GaN permite una mayor producción de energía y una mayor eficiencia, permitiendo que las compañías de telecomunicaciones respondan a la creciente demanda de transmisión de datos y capacidad de red. Además, el aumento en la adopción de la tecnología 5G se considera uno de los factores clave que alimentan la demanda de los dispositivos RF GaN, ya que los dispositivos son cruciales para lograr la cobertura deseada, las tasas de datos y la eficiencia espectral en las redes 5G. Además, factores que incluyen aumentar la demanda de tasas de datos más rápidas, aumentar la capacidad de red, pequeños despliegues de células, y otros están impulsando el crecimiento del mercado RF GaN.
Además, los factores que incluyen la creciente penetración de la infraestructura 5G junto con la creciente adopción de teléfonos inteligentes y dispositivos de comunicación son los aspectos clave que promueven el crecimiento del sector de las telecomunicaciones. Por ejemplo, según Viavi Solutions Inc., los servicios de 5G se desplegaron en 65 países de todo el mundo en 2021, lo que representa un aumento sustancial de más del 20% en comparación con 2020. Por lo tanto, atribuyendo a los factores mencionados anteriormente, el creciente sector de las telecomunicaciones está impulsando el crecimiento del mercado RF GaN a nivel mundial.
Restricción:
Presencia de alternativas en forma de Gallium Arsenide (GaAs) y Silicon LDMOS está restringiendo el crecimiento del mercado
La tecnología LDMOS de silicio es ampliamente utilizada para aplicaciones de potencia RF en rangos de menor frecuencia, incluyendo transmisores de transmisión, estaciones de base celular y otros. La tecnología LDMOS de silicio ofrece varios beneficios sobre la tecnología RF GaN incluyendo buenas capacidades de manejo de energía, eficacia de costes y ecosistema de fabricación maduro. Además, la tecnología Gallium Arsenide (GaAs) ofrece alta movilidad de electrones en comparación con la tecnología RF GaN, lo que da lugar a una operación de alta velocidad y una mejor linealidad. Por consiguiente, debido a los factores mencionados anteriormente, la presencia de sustitutos limita el crecimiento del mercado de RF GaN.
RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) Market Segmentation:
Por tipo
El segmento del tipo de producto se divide en GaN-on-Si, GaN-on-SiC y otros.
El segmento GaN-on-SiC representó la mayor cuota de mercado en términos de ingresos en el mercado RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) en 2022. Los dispositivos basados en tecnología Gan-on-SiC están equipados con la capacidad de manejar niveles de potencia más altos y exhibir mayor densidad de potencia, lo que lo hace adecuado para dispositivos RF de alta potencia incluyendo amplificadores. Por ejemplo, en junio de 2021 Microchip Technology Inc lanzó GMICP2731-10 GaN MMIC, un amplificador RF GaN para aplicaciones de comunicación por satélite. El amplificador se fabrica utilizando la tecnología GaN-on-Sic y entrega hasta 10W de potencia. Además, factores que incluyen ancho de banda, robustez y alta confiabilidad entre otros están impulsando la adopción de tecnología GaN-on-Sic.
Además, se espera que el segmento GaN-on-Si crezca constantemente durante el período previsto. En la tecnología GaN-on-Si, el material GaN se deposita en un sustrato de silicio. El Gan-on-Si se considera la tecnología más eficaz en función de los costos, que es uno de los factores clave que se espera impactar positivamente la adopción de esta tecnología en el próximo período.
Por tipo de producto
El segmento del tipo de producto se divide en transistores RF, amplificadores RF y otros.
El segmento de transistores representó la mayor cuota de mercado en términos de ingresos en el mercado RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) en 2022. Los transistores fabricados con la tecnología RF-GaN se caracterizan con alta densidad de potencia, amplio rango de frecuencia y alta linealidad. Se considera que el aumento de la demanda de sistemas electrónicos de alta potencia y alta frecuencia es un factor clave que impulsa la demanda de transistores basados en RF Gan.
Además, se espera que el segmento amplificador crezca constantemente durante el período de previsión. Los amplificadores RF GaN se utilizan ampliamente en varias aplicaciones, incluyendo comunicación inalámbrica, sistemas de radar, guerra electrónica, comunicación por satélite y otros. Además, se espera que la expansión de la industria aeroespacial y de defensa en todo el mundo genere la demanda de amplificadores basados en RF GaN en el próximo período. Por ejemplo, en diciembre de 2021, CAES lanzó un amplificador RF basado en GaN de alta potencia para proporcionar capacidad de ataque electrónico a sistemas aéreos, drones y otros equipos militares. Además, se prevé que los factores que incluyen el aumento de la demanda de sistemas eficientes de consumo de energía repercuten positivamente en el crecimiento del mercado durante el período previsto.
Por Aplicación:
El segmento de aplicación se divide en militares, telecomunicaciones, comunicaciones por satélite, banda ancha cableada, centros de datos, automotriz, marina y otros.
El segmento de comunicación por satélite representó una parte significativa en el mercado RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride). Los dispositivos basados en RF GaN, incluidos amplificadores y transistores, proporcionan una alta eficiencia, tasas de datos más altas y una mejor calidad de señal en la industria de las telecomunicaciones. Por lo tanto, varias empresas están introduciendo dispositivos basados en RF GaN para el sector de las telecomunicaciones, que es uno de los factores clave que impulsan el crecimiento del mercado. Por ejemplo, en mayo de 2022, STMicroelectronics y MACOM completaron la producción del prototipo RF Gan-on-Si. El prototipo se produce con el objetivo de ofrecer potencial para las infraestructuras 5G y 6G.
Además, los dispositivos basados en RF Gan se utilizan ampliamente en sistemas de radar marinos para la navegación, la evitación de colisiones y la detección de objetivos. Además, la tecnología RF GAN desempeña un papel vital para permitir una mayor producción de energía y un funcionamiento eficiente a fin de asegurar vínculos de comunicación sólidos entre los buques marinos y las redes satelitales. Las crecientes inversiones en el sector marítimo y los nuevos proyectos de construcción naval son los factores clave que impulsan el crecimiento del sector marítimo. Por ejemplo, en 2018, el Departamento de Defensa de Sudáfrica invirtió USD 225,7 millones para el desarrollo de tres buques. Por lo tanto, debido a lo anterior, se espera que el aumento de la aplicación de la tecnología RF GaN en el sector marítimo impacte positivamente el crecimiento del mercado durante el período previsto.
Por Región:
El segmento regional incluye América del Norte, Europa, Asia Pacífico, Oriente Medio y África, y América Latina. Se considera que la región de América del Norte contribuye a la mayor cuota de ingresos del año 2022. Se considera que el aumento de las inversiones para adoptar la tecnología RF GaN en el sector militar es uno de los factores clave que impulsan el crecimiento del mercado en la región. Por ejemplo, en diciembre de 2021, Transphorm, Inc. recibió un contrato de USD 0,9 millones de la Agencia de Proyectos de Investigación Avanzada de Defensa de EE.UU. (DARPA) para fabricar soluciones GaN para aplicaciones de radiofrecuencia comercial y DoD.
Además, se prevé que la región de Asia y el Pacífico experimente un crecimiento considerable durante el período previsto. El rápido ritmo de urbanización, industrialización y desarrollo en la región de Asia y el Pacífico está creando oportunidades lucrativas para el crecimiento del mercado en la región. Además, se espera que la ampliación de las telecomunicaciones en la región de Asia y el Pacífico debido al aumento del despliegue de redes de 5G repercute positivamente en la adopción de la tecnología RF GaN en la región durante el período previsto.
RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) Mercado Paisaje competitivo:
El panorama competitivo del mercado se ha analizado en el informe, junto con los perfiles detallados de los principales actores que operan en la industria. Además, el aumento de la innovación de productos, diversas estrategias empresariales y los lanzamientos de aplicaciones han acelerado el crecimiento del mercado mundial de la RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride). Los principales jugadores en el mercado incluyen...
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