RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) Markt 2022 | Größe | Prognose bis 2030 (Aktualisierte Version verfügbar)

Schlüsselmarkt Überblick:

Der RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) Markt zeigte eine Bewertung von 1.093.71 Mio. USD im Jahr 2022, mit einem bemerkenswerten CAGR von 18,6% projiziert während der Prognosezeit (2023-2030). Der Markt ist bereit, bis 2030 einen signifikanten Wert von 4,203,78 Millionen USD zu erreichen.

RF GaN oder Radio Frequency Gallium Nitride ist eine Art Halbleitertechnologie, die bei der Herstellung hochfrequenter elektronischer Geräte verwendet wird, einschließlich Verstärker, Transistoren und Leistungseinrichtungen für Hochfrequenzanwendungen (RF). Die RF GaN Geräte sind weit verbreitet in drahtlosen Kommunikationssystemen, Radarsystemen, Satellitenkommunikation und anderen Hochfrequenzanwendungen. Die Fähigkeit der Geräte, hohe Leistungsniveaus mit kleineren Größen zu handhaben, gilt als einer der Schlüsselfaktoren, die das Wachstum des RF GaN-Marktes vorantreiben.

Der RF GaN Markt wird durch den wachsenden Bedarf an schnelleren Datenraten, verbesserter Kapazität und verbesserter Vernetzung in drahtlosen Kommunikationsnetzen angetrieben. Die zunehmende Zusammenarbeit der Unternehmen bei der Einführung fortschrittlicher RF GaN-Geräte ist ein weiterer Schlüsselfaktor, der das Marktwachstum positiv beeinflusst. Zum Beispiel arbeitete Raytheon Technologies im Mai 2021 mit Globalfoundries (GF) zusammen, um GaN-on-Si Halbleiter mit verbesserter HF-Performance zu entwickeln. Darüber hinaus werden Faktoren, einschließlich Fortschritte in Technologien, einschließlich Internet of Things (IoT), autonome Fahrzeuge und intelligente Städte erwartet, um das Wachstum des RF GaN-Marktes während des Prognosezeitraums zu fördern.

RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) Bericht Abdeckung

Attribute anzeigen	Bericht Details
Studienzeit	2017-2030
Marktgröße in 2030 (USD Million)	4,203.78 Mio
CAGR (2023-2030)	18,6 %
Basisjahr	2022
Typ	GaN-on-Si, GaN-on-SiC und andere
Nach Produkttyp	HF-Transistoren, HF-Verstärker und andere
Anwendung	Militär, Telecom, Satellitenkommunikation, Wired Broadband, Data Centers, Automotive, Marine und andere
Von der Geographie	Asien-Pazifik [China, Südostasien, Indien, Japan, Korea, Westasien] Europa [Deutschland, UK, Frankreich, Italien, Russland, Spanien, Niederlande, Türkei] Nordamerika [Vereinigte Staaten, Kanada, Mexiko] Naher Osten und Afrika [GCC, Nordafrika, Südafrika] Südamerika [Brasilien, Argentinien, Kolumbien, Chile, Peru]
Schlüsselspieler	Qorvo, Inc, Analog Devices, Inc. Aethercomm, WOLFSPEED, INC., Integra Technologies Inc., MACOM, Mitsubishi Electric Corporation, STMicroelectronics, Raytheon Technologies Corporation, MaxLinear, Microsemi, NXP Semiconductors, Sumitomo Electric Industries, Ltd., Mercury Systems, Inc.

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Marktdynamik:

Fahrer:

Der wachsende Telekommunikationssektor treibt das Marktwachstum voran

Die RF GaN-Technologie ermöglicht eine höhere Leistungsleistung und eine verbesserte Effizienz, sodass die Telekommunikationsunternehmen eine steigende Nachfrage nach Datenübertragung und Netzwerkkapazität erfüllen können. Darüber hinaus wird der Anstieg der Einführung von 5G-Technologie als einer der wichtigsten Faktoren angesehen, die die Nachfrage nach den RF GaN-Geräten belasten, da die Geräte für die Erzielung einer gewünschten Erfassung, Datenraten und spektralen Effizienz in 5G-Netzwerken von entscheidender Bedeutung sind. Auch Faktoren, einschließlich steigender Nachfrage nach schnelleren Datenraten, verbesserte Netzwerkkapazität, kleine Zelleinsätze und andere fahren das Wachstum des RF GaN-Marktes.

Darüber hinaus sind Faktoren, einschließlich des steigenden Eindringens von 5G-Infrastruktur zusammen mit der zunehmenden Annahme von Smartphones, und Kommunikationsgeräte die wichtigsten Aspekte, die das Wachstum des Telekommunikationssektors fördern. So wurden laut Viavi Solutions Inc. 2021 in 65 Ländern weltweit 5G-Dienste eingesetzt, was einen deutlichen Anstieg von über 20% gegenüber 2020 darstellt. Der zunehmende Telekommunikationssektor erhöht daher aufgrund der oben genannten Faktoren das Wachstum des RF GaN-Markts weltweit.

Zurückhaltend:

Die Präsenz von Alternativen in Form von Gallium Arsenide (GaAs) und Silicon LDMOS hebt das Marktwachstum zurück

Die Silizium LDMOS Technologie ist weit verbreitet für HF-Stromanwendungen in niedrigeren Frequenzbereichen, einschließlich Rundfunksender, zelluläre Basisstationen und andere. Die Silizium LDMOS-Technologie bietet mehrere Vorteile gegenüber der RF GaN-Technologie, einschließlich guter Leistungsfähigkeit, Kosteneffizienz und reifen Fertigungsökosystem. Darüber hinaus bietet die Gallium Arsenide (GaAs)-Technologie eine hohe Elektronenmobilität im Vergleich zur RF GaN-Technologie, was einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb und eine bessere Linearität zur Folge hat. Aufgrund der oben genannten Faktoren wird daher das Vorhandensein von Ersatzstoffen das Wachstum des RF GaN-Marktes zurückhalten.

RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) Marktsegmentierung:



Typ

Das Produkttypsegment ist in GaN-on-Si, GaN-on-SiC und andere unterteilt.
Das Segment GaN-on-SiC entfiel im Jahr 2022 auf den größten Marktanteil im RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride). Die Gan-on-SiC-Technologie-basierten Geräte sind mit der Fähigkeit ausgestattet, höhere Leistungsstufen zu handhaben und eine höhere Leistungsdichte zu besitzen, was sie für Hochleistungs-FF-Geräte einschließlich Verstärkern geeignet macht. So startete im Juni 2021 Microchip Technology Inc GMICP2731-10 GaN MMIC, einen RF GaN Verstärker für Satellitenkommunikationsanwendungen. Der Verstärker wird mit der GaN-on-Sic Technologie hergestellt und liefert bis zu 10W Leistung. Darüber hinaus fahren Faktoren wie breite Bandbreite, Robustheit und hohe Zuverlässigkeit unter anderem die Einführung der GaN-on-Sic-Technologie.

Darüber hinaus wird erwartet, dass das Segment GaN-on-Si während des Prognosezeitraums stetig wächst. In der GaN-on-Si-Technologie wird das GaN-Material auf einem Siliziumsubstrat abgeschieden. Die Gan-on-Si gilt als die kostengünstigste Technologie, die einer der wichtigsten Faktoren ist, die die Annahme dieser Technologie in der kommenden Periode positiv beeinflussen wird.

Nach Produkttyp

Das Produkttypsegment ist in HF-Transistoren, HF-Verstärker und andere unterteilt.

Das Segment Transistoren entfiel im Jahr 2022 auf den größten Marktanteil im RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride). Die mit der RF-GaN-Technologie hergestellten Transistoren zeichnen sich durch hohe Leistungsdichte, breiten Frequenzbereich und hohe Linearität aus. Die zunehmende Nachfrage nach hoch- und hochfrequenten elektronischen Systemen wird als Schlüsselfaktor angesehen, der die Nachfrage nach HF Gan-basierten Transistoren ansteuert.

Außerdem wird erwartet, dass das Verstärkersegment während der Prognoseperiode stetig wächst. Die RF GaN Verstärker sind weit verbreitet in mehreren Anwendungen wie drahtlose Kommunikation, Radarsysteme, elektronische Kriegsführung, Satellitenkommunikation und andere. Darüber hinaus wird eine weltweite Expansion der Luftfahrt- und Verteidigungsindustrie erwartet, dass die Nachfrage nach RF GaN-basierten Verstärkern in der kommenden Periode getrieben wird. So startete CAES im Dezember 2021 einen hochleistungsfähigen GaN-basierten HF-Verstärker, der elektronische Angriffskapazitäten für luftgestützte Systeme, Drohnen und andere militärische Geräte bereitstellte. Darüber hinaus wird erwartet, dass Faktoren, einschließlich der Nachfrage nach effizienten Stromverbrauchssystemen, das Marktwachstum während des Prognosezeitraums positiv beeinflussen.

Durch Anwendung:

Das Anwendungssegment ist in militärische, telecom, Satellitenkommunikation, verdrahtete Breitband, Datenzentren, Automotive, Marine und andere unterteilt.

Das Segment Satellitenkommunikation entfiel auf den Markt RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride). Die HF GaN-basierten Geräte mit Verstärkern und Transistoren bieten einen hohen Wirkungsgrad, höhere Datenraten und eine bessere Signalqualität in der Telekommunikationsindustrie. Daher stellen mehrere Unternehmen RF GaN-basierte Geräte für den Telekommunikationssektor vor, was einer der Schlüsselfaktoren für das Marktwachstum ist. Zum Beispiel haben STMicroelectronics und MACOM im Mai 2022 die Produktion von RF Gan-on-Si Prototypen abgeschlossen. Der Prototyp wird mit dem Ziel hergestellt, Potenziale für die 5G- und 6G-Infrastrukturen zu bieten.

Ferner werden die RF Gan-basierten Geräte in marinen Radarsystemen zur Navigation, Kollisionsvermeidung und Zielerkennung weit verbreitet. Darüber hinaus spielt die RF GAN-Technologie eine wichtige Rolle, um eine höhere Leistung und einen effizienten Betrieb zu ermöglichen, um robuste Kommunikationsverbindungen zwischen den Schiffen und Satellitennetzen zu gewährleisten. Die zunehmenden Investitionen im maritimen Sektor und neue Schiffbauprojekte sind die Schlüsselfaktoren, die das Wachstum des maritimen Sektors vorantreiben. Zum Beispiel investierte das südafrikanische Verteidigungsministerium 2018 225,7 Mio. USD für die Entwicklung von drei Schiffen. Daher wird aufgrund der oben genannten erwartet, dass sich die zunehmende Anwendung der RF GaN-Technologie im maritimen Sektor während des Prognosezeitraums positiv auf das Marktwachstum auswirkt.

Von Region:

Das regionale Segment umfasst Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik, den Nahen Osten und Afrika und Lateinamerika. Die nordamerikanische Region gilt als Beitrag zum größten Umsatzanteil im Jahr 2022. Zunehmende Investitionen zur Übernahme der RF GaN-Technologie im militärischen Sektor gelten als einer der Schlüsselfaktoren, die das Marktwachstum in der Region vorantreiben. So erhielt Transphorm, Inc. im Dezember 2021 einen Vertrag von 0,9 Mio. USD von der US Defense Advanced Research Projects Agency (DARPA) zur Herstellung von GaN-Lösungen für kommerzielle und DoD-Frequenzanwendungen.



Darüber hinaus wird erwartet, dass die Region Asien-Pazifik während des Prognosezeitraums erhebliches Wachstum beobachtet. Das rasante Tempo der Urbanisierung, Industrialisierung und Entwicklung in der Region Asien-Pazifik schafft lukrative Chancen für das Marktwachstum in der Region. Darüber hinaus wird erwartet, dass der Ausbau der Telekommunikation in der Region Asien-Pazifik aufgrund der zunehmenden Bereitstellung von 5G-Netzen die Einführung von RF GaN-Technologie in der Region während des Prognosezeitraums positiv beeinflussen wird.

RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) Markt Competitive Landschaft:

Die Wettbewerbslandschaft des Marktes wurde im Bericht sowie die detaillierten Profile der wichtigsten Akteure der Branche analysiert. Darüber hinaus haben der Anstieg in Forschung und Entwicklung (R&D), Produktinnovation, verschiedene Geschäftsstrategien und Anwendungseinführungen das Wachstum des globalen RF GaN (Radio-Frequency Gallium Nitride) Marktes beschleunigt. Zu den wichtigsten Akteuren auf dem Markt gehören:

Qorvo, Inc
• Analog Devices, Inc.
â € âTMa Aethercomm
• WOLFSPEED, INC.
Integra Technologies Inc.
MACOM
Mitsubishi Electric Corporation
* STMicroelectronics
Raytheon Technologies Corporation
MaxLinear
Mikrosemi
NXP Halbleiter
Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Mercury Systems, Inc.

Neueste Entwicklungen

Im Juni 2021 starteten MaxLinear, Inc. und Wolfspeed RF Gan-on-SiC Leistungsverstärker. Die Verstärker sind dazu ausgelegt, die drahtlose Kapazität der 5G-Basisstationen durch Erhöhung der Datenübertragungsgeschwindigkeit zu erhöhen und mehr Benutzer zu unterstützen.

* Im Dezember 2021 startete CAES einen hochleistungsfähigen GaN-basierten HF-Verstärker zur Bereitstellung elektronischer Angriffskapazitäten für Luftsysteme, Drohnen und andere militärische Geräte.